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      堆焊耐磨復合鋼板復合離子注入形成SOI結構及其結構和性能

      作者: 發布于:2019/12/9 8:36:33 點擊量:

      氫氧化注入以降低總生產成本SIMOXSOI晶片,氧和氮共注入,以形成新的結構,以提高總劑量輻射的性能。結果發現,在晶片制備過程中的氫離子被引入SIMOXSOI,樣品的結構會產生比較大的變化。氫引起的缺陷的存在會導致成核速率的增加,氫的存在加速氧的擴散速率,使得在增強和促進氧析出物的生長退火期間氧擴散的內,外擴散,從而在掩埋的增稠層。室溫氫離子注入增稠效果比高溫注射顯著更。實驗中,我們得到了良好的質量增厚連續埋層的10%。增加氫離子注入劑量,由于退火過程中沒有相應的調整后,由于退火不充分埋入層的樣品從分布的28%至161%形成富氧振幅的加厚區域是非常廣泛的,埋入層是不連續的。用不同劑量的能量富集氫的掩埋層的對分布和形態的影響。進一步注入條件適當地調節和退火過程中,與具有相當大的增稠的材料要致密連續掩埋層,其是用于降低生產成本的重要。使用氮氧自由基共注射材料以形成新的SIMONSOI。通過測試大量的不同的制備和注入條件和退火過程的分析,我們發現,該結構材料是SIMON注入和退火的條件很敏感,并發現了良好的注入能量,劑量以生產出高質量的SIMON的材料;氮,氧的趨勢在所述界面處富集;退火--的各種氮氧復合物和初步比較分析的傾向,使用氧植入注入氮氣注入-制備退火。從抗輻射的原理出發認為SIMON像SIMOX具有瞬時劑量率效果的自然性和抗SEU能力的影響。低劑量的SIMOX晶片進行的實驗中的總抗輻射劑量。它發現該設備的輻射漏極-源極電流特性,和傳輸特性亞閾值漏泄特性的電特性等的影響不大。實驗結果表明,低劑量的SIMOX晶片已經能夠產生用于實際MOS器件初步輻射??偡磩┝空丈鋵嶒灥腟IMON材料和與該材料相比SIMOX。SIMON材料被發現具有更優異的總劑量輻射的能力??倓┝枯椛渲饕芰灝怱IMON材料存在于大量的斷鍵的掩埋層內。SIMON與各種抗輻射的全容量優良材料的各種優點,但也有一個SOI材料,生產基礎材料的SIMOX兼容,具有廣闊的應用前景。主:耐磨復合板堆焊耐磨復合鋼板


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